在全球芯片制造业持续竞争激烈的背景下，台积电迎来了来自美国的大力支持。4月9日，美国政府依托《芯片与科学法案》，宣布提供给该公司庞大规模的投资——66亿美元的现金补贴与50亿美元的低息贷款，折合人民币约为840亿元，助力台积电在美国建设先进的芯片制造基地。这笔资金的规模在《芯片与科学法案》下批准的各项投资中位列首位，体现了美国对于半导体供应链安全的极高重视。
台积电已在美规划建设的第三座晶圆厂，位于亚利桑那州凤凰城，预计将使台积电在美国的投资总额攀升至650亿美元，相当于人民币4700亿元左右。台积电在美的首座晶圆厂Fab 21一期工程将于2025年上半年投入生产，引进5纳米与4纳米工艺。继而二期工程预定于2028年启动，届时将采用3纳米及领先一步的2纳米工艺，两个阶段的工程合计年产能有望超过60万块晶圆，产品的市场价值预计将超过400亿美元。
针对新计划中的第三晶圆厂，台积电拟推进到2纳米乃至更前沿的生产工艺。不过，该工厂的具体投产时间尚未确定，有可能要延迟至2029至2030年，亦即在第二座工厂完工之后。此项雄心壮志的投资计划将不仅为美国带来6000个科技制造岗位，还将创造超过2万个与建设有关的工作机会，并计划在当地工人培训上投入高达5000万美元。
尽管如此，台积电在美国的扩张之路并非一片坦途，特别是在项目进度方面。其第一、二期工厂的最初规划投产时间分别是2024年和2026年，然而，实际进度远未达到预期。这种滞后使得美国政府对确保芯片供应链的积极性变得更加迫切。
除了台积电以外，美国《芯片与科学法案》还对其他半导体企业的在美投资开出了慷慨补贴：英特尔（Intel）获得85亿美元直接补贴和110亿美元低息贷款，GlobalFoundries接到15亿美元直接补贴，Microchip获得1.62亿美元直接补贴，BAE系统则收到3500万美元直接补贴。三星同样在增加对美国的投资，并预计获得高达60亿美元补贴。
总体来看，随着各大芯片制造商在美的投资计划逐渐展开，美国在全球半导体产业中的地位有望得到稳固，并有能力进一步推动技术革新和产业链安全，未来，半导体产业的全球版图或将迎来重大的变化。
