5月25日消息，近日有网友在社交媒体上向手机晶片达人留言，询问骁龙8 Gen4是否会出现和骁龙888类似的过热问题。对此，手机晶片达人表示，骁龙8 Gen4将采用台积电3nm工艺，而不再是三星的工艺技术。众所周知，骁龙888在终端设备中普遍存在过热问题，当时主要原因被认为是三星5nm工艺制程的问题。
在2020年发布的骁龙888遭遇了巨大的发热问题，当时的所有矛头都指向了三星的5nm工艺。由于当年苹果大规模使用台积电的5nm产能，高通只能选择退而求其次，与三星合作。作为首批使用三星5nm工艺的芯片，骁龙888因其高发热功耗问题被广泛批评。据数码测评博主的测试数据，在相同条件下使用游戏体验后，分别采用台积电5nm工艺的麒麟9000和苹果A14的平均芯片功耗分别为2.9W和2.4W，而使用三星5nm工艺的骁龙888则高达4.0W。晶体管密度方面，台积电5nm工艺能达到1.73亿颗晶体管，而三星只能达到1.27亿颗晶体管。
鉴于三星工艺的问题，从骁龙8+ Gen1开始，高通转向台积电寻求代工。这几年来，无论是骁龙8+ Gen1、骁龙8 Gen2还是骁龙8 Gen3，它们的市场表现都相当不错。据悉，今年10月份即将亮相的骁龙8 Gen4仍将由台积电代工，并且首次采用了台积电最新一代3nm工艺制程。
据了解，高通骁龙8 Gen4所使用的是台积电最新的3nm制程N3E。相比之前的N3B，N3E制程修复了诸多缺陷，并对设计指标有所放宽。在对比N5相同功耗条件下，N3E制程性能提升了15-20％，而在相同性能下功耗则降低了30-35％，逻辑密度提升了约1.6倍，芯片密度也增加了约1.3倍，带来了极大的性能和功耗优化。
从这些数据可以看出，骁龙8 Gen4无疑是一次重大的升级。台积电3nm工艺的采用不仅确保了更高的性能和能效，还大大降低了芯片过热问题的可能性。这让人们有理由期待骁龙8 Gen4能在市场上取得更加优秀的表现，为用户带来更流畅、更稳定的使用体验。
总结来看，骁龙8 Gen4将由台积电代工，采用最新3nm工艺制程，这无疑为其市场表现注入了一针强心剂，解决了骁龙888以来的一大痛点。高通此次选择台积电无疑是深思熟虑的，希望新一代骁龙芯片能在性能与能效上都能达到令人满意的水平。这对手机厂商和消费者来说无疑都是一个好消息，期待10月份骁龙8 Gen4的正式亮相能带来更多惊喜。
