7月25日消息，据国外媒体报道称，苹果可能会在2026年的iPhone上启用更大存储，预计存储上限将达到2TB。产业链最新透露的情况是，苹果正在加速推进QLC NAND闪存的换代，从而将在未来的iPhone中提供更大的存储选择。这一举措的背后，可能与苹果试图控制成本的策略有密切关系。
事实上，此前已有多方消息称，苹果可能会在iPhone 16系列中改变存储容量的结构，逐步淘汰使用三层单元（TLC）NAND闪存的方案，转而在存储容量达到或超过1TB的机型上使用四层单元（QLC）NAND闪存。与TLC相比，QLC的优势在于每个存储单元可以存储四个位数据，这使得在相同数量的单元下，QLC能够储存更多的数据，或者说在储存相同数量的数据时，可以减少所需的单元数量，这将显著降低生产成本。
然而，QLC闪存并不像TLC闪存那样可靠。QLC的耐久性相对较低，因为每个单元写入数据的次数更多，寿命也因此可能较短。QLC闪存可以存储16种不同的电荷电平，而TLC则只能存储8种电荷电平。在读取数据时，由于电荷量的增加和裕量的减少，QLC闪存可能会面临数据噪声增大以及位错误增加的问题。
如果苹果继续推进这一计划，一部分iPhone 16的用户可能会遇到数据写入速度低于低容量机型用户的情况。这意味着，对于存储容量超过1TB的iPhone用户而言，整体的存储体验可能会受到一定影响，但通过增加缓存和优化写入策略，苹果有望在一定程度上缓解这些技术限制带来的问题。
苹果一直在存储技术上保持前沿创新，过去数年的iPhone机型也逐步实现了从64GB到1TB的存储升级。如今，如果苹果成功将QLC NAND闪存引入，并进一步提高存储上限至2TB，iPhone用户将能够享受更大的存储空间。这对于那些需要大量存储空间来保存高质量照片、4K视频以及多种应用的大数据文件用户来说，无疑是一个极具吸引力的功能提升。
对于整个科技产业而言，苹果的这一动向也将产生深远影响。首先，QLC NAND闪存的广泛应用有望推动这一技术的进一步成熟，其他厂商可能也会跟进，整体电子消费品市场的存储升级或将迎来一波新高潮。其次，对于NAND闪存生产商而言，QLC技术的普及能带来新的机遇和挑战，特别是在如何平衡成本、可靠性和性能方面，行业将需要更多技术突破和创新。
未来几年，我们或许将见证存储技术新纪元的到来，苹果在这一领域中的战略调整是否会取得预期效果，将成为整个行业关注的焦点之一。不论最终结果如何，苹果显然已经在为更大存储空间、更高效成本控制和更广泛用户需求的多方考量下，迈出了重要的一步。
