在全球芯片制造领域，技术革新一直是推动产业发展的重要驱动力。12月15日，在第69届IEEE国际电子器件会议（IEDM）上，中国存储器技术的领头羊长鑫存储再次展现了其技术研发的实力。长鑫通过一篇重量级的学术论文向世界证明，他们已在先进的环绕式闸极结构（Gate-All-Around，GAA）造芯技术上取得新的里程碑性成就。
根据长鑫存储发布的信息，他们的GAA技术成功应用于3纳米工艺的芯片制造。这种技术除了能够应用在最尖端的3nm制程芯片之外，还具备向下兼容5nm、7nm、10nm及14nm等多个技术节点的能力。尽管受到国际设备制程管制制约，目前长鑫还无法启动相关技术的商业量产，但其公布的研究成果表明长鑫已拥有了相应的技术能力，这标志着国产芯片产业在自主创新上又一重要进步。
环绕式闸极结构是一种新型晶体管架构，与传统的芯片制造技术相比，GAA能够在更小的空间内实现电子高效移动，进而提高芯片的性能和能效，降低功耗。此项突破不仅展示了长鑫存储硬实力的积累，也是中国芯片产业减少对国外技术依赖、加速自研步伐的一个缩影。
长鑫存储在技术研发方面的积极突破，紧接着其在商业成果方面也有所斩获。不久之前，长鑫存储正式推出了LPDDR5系列产品。这包括了12Gb的LPDDR5单颗粒、POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。值得一提的是，长鑫成为国内率先推出并自主研发生产LPDDR5产品的厂家，这代表了中国存储器产业在高性能芯片市场的重要突破。
LPDDR5是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器，与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储推出的LPDDR5系列产品在容量和速率上都有大幅提升，达到了50%的增长，并将数据传输速率提升至6400Mbps。同时，在功耗方面同样取得了减少30%的显著成效。
进入21世纪，面对全球芯片技术竞争与供应链重塑的大环境，长鑫存储的技术突破和产业进展彰显了中国芯片企业的快速发展步伐和独立创新的决心。长鑫存储的成就不仅仅是一个企业的突破，更是中国电子信息产业自主创新、打破国际技术垄断的重要标志。在未来的芯片工艺竞赛中，长鑫存储将继续以核心技术研发为支撑，不断探索和进取，为中国乃至全球的芯片行业贡献新的动能。
