1月7日消息传来，全球半导体行业领导者英特尔公司再次成为业界焦点。位于美国俄勒冈州的英特尔晶圆厂日前迎来了一位重量级的新成员：全球首台高数值孔径（NA）极紫外线（EUV）光刻机，即“Twinscan EXE:5000”。这台先进光刻机的到来为英特尔的技术进步增添了新的动力。
早在2018年，英特尔就预见到了集成电路微缩技术的未来趋势，向光刻机制造巨头ASML下达订单，预订了这种颠覆性的光刻设备。英特尔希望借助这台光刻机执行其心心念念的18A制造工艺，即著名的1.8纳米级别，届时将有望在今年实现量产。
光刻机在芯片制造过程中的角色至关重要，它负责将电路图案精确投影到硅片上，随着技术的发展，图案的精细度成为了衡量其先进性的核心标准。而高NA EUV光刻机的独到之处在于其更高的分辨率，可以实现更小尺寸的微缩化生产，从而延续摩尔定律所蕴含的半导体技术飞速进步的精髓。
除了“Twinscan EXE:5000”，英特尔更是展示了其遥遥领先的野心，已经抢先一步预订了升级版的“Twinscan EXE:5200”。这台光刻机预计将在2025至2026年推出，并将应用于更加先进的制造工艺。根据之前的报道，ASML仅计划在2024年生产不超过10台新一代高NA EUV光刻机，可见英特尔定下6台这一巨额订单的战略意义重大。
随着技术的进步和生产效率的提高，预计到了2027至2028年，ASML每年将能够生产大约20台这样的高端光刻机。然而，杰出的性能往往伴随着昂贵的成本，新一代光刻机的价格或将高达3亿至4亿美元，折合近30亿元人民币，远高于目前较为常见的低NA EUV光刻机所需的大约2亿美元。
对于英特尔而言，数亿美元的投资是对新光刻技术信心的体现，也是其在半导体产业不断保持领先地位的重要举措。通过引入高NA EUV光刻机，英特尔不仅能够在技术层面维持其竞争优势，同时为合作伙伴和最终用户提供更高效能的芯片产品。在全球芯片行业持续升温的大环境下，这台光刻机的到来，无疑为英特尔又添了一笔宝贵的先进制造资产。
