4月4日，面对日益增长的数据处理需求和用户对更高效能存储解决方案的渴望，三星电子有限公司公开了它们的最新战略——推动3D DRAM的发展。3D晶体管技术早已在多种类型的芯片中得到应用，而3D DRAM内存虽经多年探讨，却迟迟未能实现量产。现如今，三星展示的路线图上首次确立了3D DRAM的位置，并为产业界及消费者勾勒出了一个令人期待的技术未来。
三星目前的DRAM芯片制造已经做到了1b节点技术水平，接下来将继续推进1c、1d节点的研发，这些都属于10纳米级别的生产工艺。但科技发展不尽止步于此，更小尺寸的技术节点也在规划之中。当制程技术进一步发展，进入10纳米以下范畴时，三星预计将采用新的命名体系——分别为0a、0b、0c、0d节点。其中，计划于2027年底至2028年初投入量产的0a工艺预计将达到超过两万块晶圆的月生产能力，而0d工艺则期待于2032年落实。
进入10纳米以下节点后，三星有意全面启动3D内存时代。首当其冲的将是引入VCT技术（垂直通道晶体管），这一技术可能基于目前主流的FinFET类型，相较于更为先进的GAA（栅全包围）技术而言，可能是一个过渡方案。然而，这一变革将为未来内存技术的飞跃奠定坚实基础。
到了2030至2031年左右，三星计划将其技术迈入一个新的阶段——堆叠DRAM。届时，将把多组VCT技术堆叠起来，这不仅可以显著提升内存的容量与性能，还可能会结合电容器技术，进一步提升产品的整体性能。此举有望引领DRAM内存向着更高的容量、更快的速度和更低的能耗迈进。
三星此次的技术路线图的公开，不仅为业界展示了其对未来存储技术发展的承诺，也对外界表明，尽管面临着诸多技术挑战和生产难题，三星依然能够持续推动内存技术的进步，为消费者和企业用户提供更加先进的产品和解决方案。随着技术的进步，未来电脑、智能手机和各类智能设备都将从中受益，享受到更加迅捷与高效的数据处理体验。三星的这一宏远规划，无疑进一步巩固了其在全球内存市场的领导地位，也为整个半导体产业的发展注入了新的活力。
