近日，消息指出，SK海力士正全力研发400层堆叠的NAND闪存，并计划在2025年投入大规模量产。这一消息意味着SK海力士在闪存技术领域再次遥遥领先。
为了实现如此高密度的堆叠，SK海力士采用了所谓的4D NAND闪存技术及混合键合技术。这种技术又称为W2W（wafer-to-wafer）结构，主要通过将两块晶圆键合在一起，从而实现高密度的存储单元堆叠。这与目前将闪存单元置于外围驱动电路之上的PUC结构有明显区别，从而能够大幅提升存储单元的密度。
在具体实现过程中，SK海力士涉及多种关键工艺，包括晶圆的抛光、蚀刻、沉积和引线等。这些工艺的完美结合，最终实现了高层堆叠的400层NAND闪存。值得注意的是，这种技术与长江存储采用的晶栈结构在理念上有些相似，但各自有独特的技术方案。
SK海力士在2022年8月已经展示了321层堆叠闪存的样板，公司成为第一家成功实现300层以上堆叠且使用TLC（Triple-Level Cell，三位元单元）技术的企业。随着技术的发展，SK海力士在提升层数和存储密度方面不断突破，这为今后400层堆叠的量产打下了坚实基础。
与此同时，其他储存厂商在层数堆叠方面也积极布局。其中，三星已量产290层闪存，其目标是到2030年实现超过1000层堆叠。美光已经将276层闪存投入实用领域，而铠侠在去年达成了218层，并暗示将在2027年实现1000层堆叠。长江存储的具体层数数据尚未公开，但技术进展亦不容小觑。
随着闪存技术的不断提升，未来的固态硬盘（SSD）价格有望进一步下降并实现更大容量、更高速度的读写性能。由于400层堆叠的闪存芯片在单位面积内存储更多数据，可以降低生产成本，最终惠及消费者。
除了消费级市场，这些前沿技术在数据中心、云计算、人工智能等领域，也有广泛的应用前景。在高速增长的数据需求下，更高效、更密集的存储解决方案显得尤为关键。SK海力士在4D NAND技术上的突破，不仅提高了公司在市场中的竞争力，也为整个存储行业带来新的活力。
总之，随着SK海力士及其他厂商在高层堆叠NAND闪存技术上的突破和进展，未来的固态存储设备将会实现更高的性能、更低的成本。这对技术进步和市场成长都将产生深远的影响。
